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Datasheet PMWD26UN Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | PMWD26UN | Dual N-channel uTrenchMOS ultra low level FET PMWD26UN
Rev. 02 — 19 May 2005
Dual N-channel µTrenchMOS ultra low level FET
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology.
1.2 Features
s Surface |
NXP Semiconductors |
PMWD2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
PMWD20XN | Dual N-channel uTrenchMOS extremely low level FET |
NXP Semiconductors |
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PMWD26UN | Dual N-channel uTrenchMOS ultra low level FET |
NXP Semiconductors |
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PMWD22XN | Dual N-channel uTrenchMOS extremely low level FET |
NXP Semiconductors |
Esta página es del resultado de búsqueda del PMWD26UN. Si pulsa el resultado de búsqueda de PMWD26UN se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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