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PM15CNJ060 データシート PDF

この部品の機能は「Igbt Intelligent Module」です。


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部品番号
PM15CNJ060

IGBT INTELLIGENT MODULE


MITSUBISHI MITSUBISHI PM15CNJ060 PM15CNJ060 FLAT-BASE FLAT-BASE TYPE TYPE INSULATED INSULATED PACKAGE PACKAGE PM15CNJ060 • 3 phase IGBT (1


Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric

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文字列「 PM15CNJ060 」「 15CNJ060 」で始まる検索結果です。

部品説明

MRF15060

RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS

( DataSheet : ) MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MRF15060/D The RF Sub–Micron Bipolar Line RF Power Bipolar Transistors Designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies from 1400 to 1600 MHz. The h

Motorola Semiconductors
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MRF15060S

RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS

( DataSheet : ) MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MRF15060/D The RF Sub–Micron Bipolar Line RF Power Bipolar Transistors Designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies from 1400 to 1600 MHz. The h

Motorola Semiconductors
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MSRT15060

(MSRT15060 - MSRT150100A) Silicon Standard Recovery Diode

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America Semiconductor
America Semiconductor

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MSRT15060A

(MSRT15060 - MSRT150100A) Silicon Standard Recovery Diode

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America Semiconductor
America Semiconductor

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RHRU15060

150A/ 600V Hyperfast Diode

RHRU15060 Data Sheet January 2000 File Number 3089.3 150A, 600V Hyperfast Diode The RHRU15060 is a hyperfast diode with soft recovery characteristics (trr < 60ns). It has half the recovery time of ultrafast diodes and is of silicon nitride passivated ion-implanted epitaxial plan

Intersil Corporation
Intersil Corporation

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RURU15060

150A/ 600V Ultrafast Diode

RURU15060 Data Sheet January 2000 File Number 3201.3 150A, 600V Ultrafast Diode The RURU15060 is an ultrafast diode with soft recovery characteristics (trr < 85ns). It has low forward voltage drop and is of silicon nitride passivated ion-implanted epitaxial planar construction.

Intersil Corporation
Intersil Corporation

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