PL2302GD データシート PDFこの部品の機能は「N-channel High Density Trench Mosfet」です。 |
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部品番号 |
PL2302GD N-Channel High Density Trench MOSFET PULAN TECHNOLSOeGmY CiOc.,oLnIMdITuEcDtor CO.,LTD P L2302GD PULAN 18948314942 QQ:1094642907 N-Channel High Density Trench MOSFET PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m-ohm) Max 3.0 65 @ VGS = 4.5V PULAN TECHNOLOGY |
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部品説明 |
0230200L Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
0230200L Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
2302 Class C Microwave 2302 2.0 Watt - 20 Volts, Class C Microwave 2300 MHz GENERAL DESCRIPTION The 2302 is a COMMON BASE transistor capable of providing 2 Watts Class C, RF output power at 2300 MHz. Gold metalization and diffused ballasting are used to provide high reliability and supreme ruggedness. ETC |
2302 N-Channel MOSFET SOT-23-3 Plastic-Encapsulate Transistors 2302 MOSFET(N-Channel) FEATURES TrenchFET Power MOSFET MARKING:A2SHB MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage 20 V VGS Gate-Source voltage ±10 V ID Drain current ETC |
5082-2302 (5082-2xxx) Schottky Barrier Diode w w w .D at aS he et 4U .c om HP |
ACE2302 N-Channel Enhancement Mode MOSFET ACE2302 Tec ACE Technology |
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