PK1912 データシート PDFこの部品の機能は「Pk1912」です。 |
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部品番号 |
PK1912 PK1912 www.Datasheet.jp ® Ïîëóïðîâîäíèêîâûå ïðèáîðû ÊÂÀÐÖÅÂÛÉ ÏÀÂ-ÐÅÇÎÍÀÒÎÐ ÍÀ 433,92 ÌÃÖ ÐÊ1912 Ïðåäâàðèòåëüíî ÐÊ1912 - îäíî ETC |
文字列「 PK1912 」「 1912 」で始まる検索結果です。 |
部品説明 |
2N1912 Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 600 Volts Powerex Power |
2N1912 Silicon Controlled Rectifiers http:// Microsemi |
2N1912 Thyristor SCR 150V 1.6KA 3-Pin TO-209AA New Jersey Semiconductor |
2SD1912 LOW FREQUENCY POWER AMP APPLICATIONS
Sanyo Semicon Device |
2SD1912 Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1912 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 60V(Min) ·Wide Area of Safe Operation ·Low Collector Saturation Voltage APPLICATIONS ·Designed for low frequency power am Inchange Semiconductor |
AGR19125E Transistor AGR19125E 125 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor Introduction The AGR19125E is a 125 W, 28 V N-channel laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) RF power field effect transistor (FET) suitable for personal communication service (PCS) (1930 MHz—1990 TriQuint Semiconductor |
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