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1 PF610BL

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PF610BL N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 100V 0.7Ω @VGS = 10V ID 0.9A SOT- 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST

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PF61 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
PF610BC

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PF610BC N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 100V 0.7Ω @VGS = 10V ID 1.1A SOT-89 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 100 Gate-Source Voltage V

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PF610HV

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PF610HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 100V 0.7Ω @VGS = 10V ID 1A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 100 Gate-Source Voltage

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PF610BL

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PF610BL N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 100V 0.7Ω @VGS = 10V ID 0.9A SOT- 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Cur

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