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Datasheet PF01410 Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
2 PF01410   MOS FET Power Amplifier Module for GSM Handy Phone

PF01410A MOS FET Power Amplifier Module for GSM Handy Phone ADE-208-424B (Z) Product Preview 3rd. Edition November 1997 Application • For GSM class4 890 to 915 MHz Features • • • • 4.8 V operation 2 stage amplifier Small package High efficiency : 45% Typ High speed switching : 1 µsec P
Hitachi Semiconductor
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datasheet PF01410 pdf
1 PF01410A   MOS FET Power Amplifier Module for GSM Handy Phone

PF01410A MOS FET Power Amplifier Module for GSM Handy Phone ADE-208-424B (Z) Product Preview 3rd. Edition November 1997 Application • For GSM class4 890 to 915 MHz Features • • • • 4.8 V operation 2 stage amplifier Small package High efficiency : 45% Typ High speed switching : 1 µsec P
Hitachi Semiconductor
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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