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データシート P6NA60FI PDF ( Circuit Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 P6NA60FI

STP6NA60FI

www.Datasheet.jp STP6NA60 STP6NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STP6NA60 STP6NA60FI s s s s s s s V DSS 600 V 600 V R DS( on) < 1.2 Ω < 1.2 Ω ID 6.5 A 3.9 A

ST Microelectronics
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P6N データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
P6N70A

SSP6N70A

Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 µA (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 Ω (Typ.) 1 2 3 SSP6N70A BVDSS = 700 V RDS(on

Fairchild Semiconductor
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P6N70

FQP6N70

   QFET   $ $ $ $ $ $ % &'())*+,- .Ω/*,-)* 0   1 2) 3 01 -.3     -))4 !  5 !!6  "          

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P6NK50Z

STP6NK50Z

STP6NK50Z - STF6NK50Z STD6NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.93Ω - 5.6A TO-220/TO-220FP/DPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP6NK50Z STF6NK50Z STD6NK50Z 500 V 500 V 500 V < 1.2 Ω < 1.2 Ω < 1.2 Ω 5.6 A 5.6 A 5.6 A 90 W 25 W 90 W s TYPICAL RDS(

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P6N80

FQP6N80

FQP6N80 September 2000 QFET FQP6N80 800V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to m

Fairchild Semiconductor
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P6NC60

STP6NC60

N-CHANNEL 600V - 1Ω - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH™II MOSFET TYPE STP(B)6NC60(-1) STP6NC60FP s s s s s STP6NC60 - STP6NC60FP STB6NC60-1 VDSS 600 V 600 V RDS(on) < 1.2 Ω < 1.2 Ω ID 6A 6A 3 1 2 TYPICAL RDS(on) = 1.0 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CA

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P6NK60ZPF

STP6NK60ZPF

STP6NK60Z - STP6NK60ZFP STB6NK60Z - STB6NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 1Ω - 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET TYPE VDSS 600 600 600 600 V V V V RDS(on) < 1.2 < 1.2 < 1.2 < 1.2 Ω Ω Ω Ω ID 6 6 6 6 A

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P6NA60FI 回路図、ピン配列、同等



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