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P55NF06 データシート PDFこの部品の機能は「Stp55nf06」です。部品名 P55NF06.PDF で生成された要約情報を活用して、さまざまなメーカーのデータシートを比較してダウンロードできます。 当社の検索ツールは、検索結果の範囲をすばやく絞り込み、必要なものを正確に見つけることができるフィルタと並べ替えオプションを備えた直感的で使いやすく設計されています。 |
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| 部品番号 |
| P55NF06 STP55NF06 STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FP N-channel 60 V, 0.015 Ω, 50 A STripFET™ II Power MOSFET in D²PAK, TO-220 and TO-220FP packages Datasheet — production data Features Order code STB55NF06 STP5  ST Microelectronics  |
| P55NF06 N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR 55NF06 ® Pb Free Plating Product 55NF06 Pb N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR 50 AMPERE 60 VOLT N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 12 3 TO-251/IPAK Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon  Thinki Semiconductor |
文字列「 P55NF06 」「 55NF06 」で始まる検索結果です。 |
| 部品説明 |
P55NF06L STP55NF06L STP55NF06L STB55NF06L - STB55NF06L-1 N-channel 60V - 0.014Ω - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET™ II Power MOSFET General features Type STP55NF06L STB55NF06L STB55NF06L-1 VDSS 60V 60V 60V RDS(on) <0.018Ω <0.018Ω <0.018Ω ■ Exceptional dv/dt capability ■ 100% avalan  STMicroelectronics |
2SC5506 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Ordering number:EN6070 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5506 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features · High speed. · High breakdown voltage (VCBO=1600V). · High reliability (Adoption of HVP process). · Adoption of  Sanyo Semicon Device |
55NF06 N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR 55NF06 ® Pb Free Plating Product 55NF06 Pb N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR 50 AMPERE 60 VOLT N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 12 3 TO-251/IPAK ThinkiSemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. L  THINKISEMI |
55NF06 STP55NF06 STB55NF06 STB55NF06-1 STP55NF06 STP55NF06FP N-CHANNEL 60V - 0.015 Ω - 50A TO-220/TO-220FP/I²PAK/D²PAK STripFET™ II POWER MOSFET TYPE STP55NF06 STB55NF06-1 STB55NF06 STP55NF06FP s s s s VDSS 60 V 60 V 60 V 60 V RDS(on) <0.018 <0.018 <0.018 <0.018 Ω ST Microelectronics |
55NF06 N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR 55NF06 ® Pb Free Plating Product 55NF06 Pb N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR 50 AMPERE 60 VOLT N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 12 3 TO-251/IPAK Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. L Thinki Semiconductor |
ADL5506 RF Detector Data Sheet FEATURES Complete RF detector function Typical dynamic range: 45 dB Frequency range from 30 MHz to 4.5 GHz Excellent temperature stability Stable linear in decibel response Power on/off response time: 65 ns/145 ns (rise/fall) −5 dBm input power applied Operates from  Analog Devices |
特徴
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私たちは、エンジニア、技術者が作業している電子部品に関する包括的な最新情報にアクセスすることがどれほど重要かを知っています。 当社のサイトでは、半導体やセンサーからモーター、電源に至るまで、さまざまな製品のデータシートを簡単に検索してダウンロードできる集中型プラットフォームを提供しています。 |
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