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P2003EVG データシート PDF

この部品の機能は「P-channel Enhancement Mode Mosfet」です。


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部品番号
P2003EVG

P-Channel Enhancement Mode MOSFET


P2003EVG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) -30V 20mΩ @VGS = -10V ID -9A SOP- 08 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Othe


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P2003EVG

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor


NIKO-SEM P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor D P2003EVG SOP-8 Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS -30 RDS(ON) 20m ID -9A G S 4 :GATE 5,6,7,8 :DRAIN 1,2,3 :SOURCE www.Da


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文字列「 P2003 」「 2003EVG 」で始まる検索結果です。

部品説明

P2003BDG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P2003BDG N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 25V 20mΩ @VGS = 10V ID 28A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 25 Gate-Source V

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P2003BE

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P2003BE N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 20mΩ @VGS = 10V ID 7A PDFN 3x3S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 30 Gate-Source Voltage VGS

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P2003BEA

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P2003BEA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 20mΩ @VGS = 10V ID 10A PDFN 3x3S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage TC = 25 °

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P2003BEAA

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P2003BEAA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 20mΩ @VGS = 10V ID 25A PDFN 3X3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 30 Gate-Source Voltage

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P2003BT

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P2003BT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 20mΩ @VGS = 10V ID 39A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 30 Gate-Source Voltage VGS

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P2003BV

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P2003BV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 20mΩ @VGS = 10V ID 8.5A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Curren

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