NTD50 データシート PDFこの部品の機能は「High Voltage-high Current SilICon Rectifiers」です。 |
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部品番号 |
NTD50 HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS NTD HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS DIFFUSED SILICON JUNCTIONS PRV 8,000 TO 60,000 VOLTS AVALANCHE CHARACTERISTICS LOW LEAKAGE Peak EDI Type No. Reverse V oltage PRV (V olts) Avg. Fwd. EDI |
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部品説明 |
NTD50N03R Power MOSFET ( Transistor ) NTD50N03R Power MOSFET 25 V, 45 A, Single N−Channel, DPAK Features • • • • • Planar Technology Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Pb−Free Packages are Available ht ON Semiconductor |
0-215079-8 Metric www.DataSheet.in AMP |
0-215079-x Metric www.DataSheet.in AMP |
0230500L Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
0230500L Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
02N50C3 SPD02N50C3 &RRO026 3RZHU7UDQVLVWRU )HDWXUH • 1HZUHYROXWLRQDUKLJKYROWDJHWHFKQRORJ •8OWUDORZJDWHFKDUJH • 3HULRGLFDYDODQFKHUDWHG •([WUHPHGYGWUDWHG • 8OWUDORZHIIHFWLYHFDSDFLWDQFHV • ,PSURYHGWUDQVFRQGXFWDQFH 63'1& VDS#Tjmax 5'6RQ ,' 9 Ω Infineon Technologies |
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