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NE662M16-A データシート PDF

この部品の機能は「NPN SilICon Rf Transistor」です。


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部品番号
NE662M16-A

NPN SILICON RF TRANSISTOR


DISCONTINUED NPN SILICON RF TRANSISTOR NE662M16 / 2SC5704 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE  HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD FEATURES • Ideal for low noise  high-gain


CEL
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文字列「 NE662M16 」「 662M16 」で始まる検索結果です。

部品説明

NE662M16

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES • • • • HIGH GAIN BANDWIDTH: fT = 25 GHz LOW NOISE FIGURE: NF = 1.1 dB at 2 GHz HIGH MAXIMUM STABLE GAIN: 20 dB at f = 2 GHz NEW LOW PROFILE M16 PACKAGE: • Flat Lead Style with a height of just 0.50mm NE662M16 DESCRIPTION

NEC
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NE662M16

NPN SILICON RF TRANSISTOR

DISCONTINUED NPN SILICON RF TRANSISTOR NE662M16 / 2SC5704 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE  HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD FEATURES • Ideal for low noise  high-gain amplification and oscillation at 3 GHz or over NF = 1.1 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC

CEL
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NE662M16-T3

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES • • • • HIGH GAIN BANDWIDTH: fT = 25 GHz LOW NOISE FIGURE: NF = 1.1 dB at 2 GHz HIGH MAXIMUM STABLE GAIN: 20 dB at f = 2 GHz NEW LOW PROFILE M16 PACKAGE: • Flat Lead Style with a height of just 0.50mm NE662M16 DESCRIPTION

NEC
NEC

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NE662M16-T3-A

NPN SILICON RF TRANSISTOR

DISCONTINUED NPN SILICON RF TRANSISTOR NE662M16 / 2SC5704 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE  HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD FEATURES • Ideal for low noise  high-gain amplification and oscillation at 3 GHz or over NF = 1.1 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC

CEL
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LC866216A

8-bit single chip microcomputer

Sanyo
Sanyo

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