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Datasheet NE5550779A Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | NE5550779A | Silicon Power LDMOS FET Data Sheet
NE5550779A
Silicon Power LDMOS FET
FEATURES
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R09DS0040EJ0300 Rev.3.00 Mar 12, 2013
High Output Power : Pout = 38.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) High power added efficiency : ηadd = 66% TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f = 460 M |
 Renesas |
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NE55507 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| NE5550779A | Silicon Power LDMOS FET |
Renesas |
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nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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