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NCP3135 データシート PDF

この部品の機能は「5a Integrated Synchronous Buck Converter」です。


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部品番号
NCP3135

5A Integrated Synchronous Buck Converter


NCP3135 5 A Integrated Synchronous Buck Converter NCP3135 is a fully integrated synchronous buck converter for 3.3 V and 5 V step−down applications. It can provide up to 5 A DC load and 6 A instant


ON Semiconductor
ON Semiconductor

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文字列「 NCP3135 」「 3135 」で始まる検索結果です。

部品説明

2N3135

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-18 Case (Continued) TYPE NO. DESCRIPTION BVCBO BVCEO BVEBO ICBO @ VCB (V) (V) (V) (µA) (V) MIN MIN MIN MAX *ICES **ICEV hFE @ IC @ VCE VCE (SAT) @ IC Cob fT NF ton (mA) (V) (V) (mA) (pF) (MHz) (dB) (ns) MIN MAX MAX MAX MIN MAX MAX toff (ns) MA

Central Semiconductor
Central Semiconductor

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2SC3135

PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors

Ordering number:ENN1049E PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1253/2SC3135 High-hFE, AF Amp Applications Features · High VEBO. · Wide ASO and high durability against breakdown. Package Dimensions unit:mm 2033A [2SA1253/2SC3135] 4.0 2.2 1.8 3.0 0.6 0.4 0.5 0.4 0

Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

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2SK3135

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3135(L),2SK3135(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-695B (Z) 3rd. Edition February 1999 Features • Low on-resistance R DS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline LDPAK 4 4 2 1 1 2

Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

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2SK3135L

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3135(L),2SK3135(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-695B (Z) 3rd. Edition February 1999 Features • Low on-resistance R DS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline LDPAK 4 4 2 1 1 2

Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

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2SK3135S

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3135(L),2SK3135(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-695B (Z) 3rd. Edition February 1999 Features • Low on-resistance R DS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline LDPAK 4 4 2 1 1 2

Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

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3135GN-280LV

S-Band Radar

3135GN-280LV 280 Watts • 50 Volts • 200  s, 20% S-Band Radar 3100 - 3500 MHz GENERAL DESCRIPTION The 3135GN-280LV is an internally matched, COMMON SOURCE, class AB, GaN on SiC HEMT transistor capable of providing over 13 dB gain, 280 Watts of pulsed RF output power at 200

Microsemi
Microsemi

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