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NB3N2304NZ データシート PDF

この部品の機能は「3.3v 1:4 Clock Fanout Buffer」です。


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部品番号
NB3N2304NZ

3.3V 1:4 Clock Fanout Buffer


NB3N2304NZ 3.3V 1:4 Clock Fanout Buffer Description The NB3N2304NZ is a low skew 1−to 4 clock fanout buffer, designed for high speed clock distribution such as in PCI−X applications. The NB3N2304


ON Semiconductor
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文字列「 NB3N2304 」「 3N2304NZ 」で始まる検索結果です。

部品説明

32304118

Magnetoresistive Sensor ICs

Magnetoresistive Sensor ICs Standard Power Series: SM351RT, SM451R, SM353RT, SM453R 32304118 Issue B SM451R SM453R SM351RT SM353RT DESCRIPTION Honeywell’s Magnetoresistive Sensor ICs (integrated circuits), Standard Power Series, are ultra-sensitive devices designed for manu

Honeywell
Honeywell

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CCT323047

Clamp Type AC Current Sensors

S E N S O R S April 2014 Clamp Type AC Current Sensors For Energy Management Systems CCT series CCT323047 CCT261631 Free Datasheet http:// (2/7) S E N S O R S An attention matter on use Please read this specifications before using this product by all mean

TDK
TDK

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M53230400CB0

(M532304x0CB0/CW0) DRAM Module

DRAM MODULE M53230400CW0/CB0 & M53230410CW0/CB0 EDO Mode 4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V GENERAL DESCRIPTION The Samsung M5323040(1)0C is a 4Mx32bits Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M5323040(1)0C consists of eight CMOS 4Mx4

Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor

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M53230400CW0

(M532304x0CB0/CW0) DRAM Module

DRAM MODULE M53230400CW0/CB0 & M53230410CW0/CB0 EDO Mode 4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V GENERAL DESCRIPTION The Samsung M5323040(1)0C is a 4Mx32bits Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M5323040(1)0C consists of eight CMOS 4Mx4

Samsung Semiconductor
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M53230400DB0

(M532304x0DB0/DW0) DRAM Module

DRAM MODULE M53230400DW0/DB0 & M53230410DW0/DB0 EDO Mode 4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V GENERAL DESCRIPTION The Samsung M5323040(1)0D is a 4Mx32bits Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M5323040(1)0D consists of eight CMOS 4Mx4

Samsung Semiconductor
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M53230400DW0

(M532304x0DB0/DW0) DRAM Module

DRAM MODULE M53230400DW0/DB0 & M53230410DW0/DB0 EDO Mode 4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V GENERAL DESCRIPTION The Samsung M5323040(1)0D is a 4Mx32bits Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M5323040(1)0D consists of eight CMOS 4Mx4

Samsung Semiconductor
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