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Datasheet MTY55N20E Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | MTY55N20E | TMOS POWER FET 55 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MTY55N20E/D
™ Data Sheet TMOS E-FET.™ Power Field Effect Transistor
Designer's
MTY55N20E
Motorola Preferred Device
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in th |
 Motorola Semiconductors |
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MTY55N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| MTY55N20E | TMOS POWER FET 55 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM |
Motorola Semiconductors |
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| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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