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Datasheet MTY100N10E Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | MTY100N10E | TMOS POWER FET 100 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.011 OHM MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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™ Data Sheet TMOS E-FET.™ Power Field Effect Transistor
Designer's
MTY100N10E
Motorola Preferred Device
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in |
 Motorola Semiconductors |
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MTY100N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| MTY100N10E | TMOS POWER FET 100 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.011 OHM |
Motorola Semiconductors |
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| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
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