|
|
 |
|
部品名「 MT3420 」データシート（PDF）を検索した結果です。 結果として示された要約情報を活用して、さまざまな製造元のデータシートを比較してダウンロードできます。 当社の検索ツールは、検索結果の範囲をすばやく絞り込み、必要なものを正確に見つけることができるフィルタと並べ替えオプションを備えた直感的で使いやすく設計されています。 |
MT3420 データシート PDF |
| 番号 | 部品番号 | 部品説明 | メーカ | |
| 2 | MT3420 | 2A Synchronous Step-Down Converter MT3420 Rev.V1.2 1.4MHz, 2A Synchronous Step-Down Converter FEATURES • High Efficiency: Up to 96% • 1.4MHz Constant Frequency Operation • 2A Output Current • No Schottky Diode Required • 2.5 |
 Aerosemi Technology |
 |
| 1 | MT3420 | 2A Synchronous Step-Down DC/DC Converter MT3420 1.4MHz, 2A Synchronous Step-Down DC/DC Converter FEATURES High Efficiency: Up to 95% 1.4MHz Constant Frequency Operation 2A Output Current No Schottky Diode Required 2.4V |
 ETC |
|
文字列「 MT3 」で始まる検索結果です。 |
| 部品番号 | 部品説明 | メーカ | |
| MT3421 | P-Channel Power MOSFET MT1 MOS-TECH Semiconductor Co.,LTD MT31 Single P-Channel Power MOSFET General Description This P-Channel Power MOSFET is pro duced using MOS-TECH Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has b een especially tailored to minimize the on-state r esistance and yet |
 MOS-TECH |
|
| MT3S113TU | Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type Transistor MT3S113TU TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113TU VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications FEATURES • Low Noise Figure:NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) • High Gain:|S21e|2=12.5dB(Typ.) (@ f=1GHz) 2.1±0.1 1.7±0.1 Unit: mm 0 |
 Toshiba Semiconductor |
|
| MT3S113P | Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type Transistor TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113P MT3S113P VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mm FEATURES • Low Noise Figure:NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) • High Gain:|S21e|2=10.5dB(Typ.) (@ f=1GHz) Marking R7 Absolut |
Toshiba Semiconductor |
|
| MT3S113 | Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type Transistor TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113 MT3S113 VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mm FEATURES • Low Noise Figure:NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) • High Gain:|S21e|2=11.8dB(Typ.) (@ f=1GHz) Marking R7 1. Base 2 |
Toshiba Semiconductor |
|
| MT3710 | N-Channel Powe MOSFET MOS-TECH Semiconductor Co.,LTD Feb 2010 MT3710 N-Channel Power® MOSFET 100V, 57A, 12mΩ Features • RDS(on) = 12mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 49A • Fast switching speed • Low gate charge • High performance trench technology for extremely low RDS(on) • High power and |
MOS-TECH |
|
| MT3S111 | Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type Transistor TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S111 VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Features • Low-Noise Figure: NF=0.9 dB (typ.) (@ f=1 GHz) • High Gain:|S21e|2=12 dB (typ.) (@ f=1 GHz) MT3S111 Unit: mm Marking R5 Absolute Maxi |
Toshiba Semiconductor |
|
|
私たちは、エンジニア、技術者が作業している電子部品に関する包括的な最新情報にアクセスすることがどれほど重要かを知っています。 当社のサイトでは、半導体やセンサーからモーター、電源に至るまで、さまざまな製品のデータシートを簡単に検索してダウンロードできる集中型プラットフォームを提供しています。 |
|
DataSheet.jpは、半導体や電子部品のデータシートをPDFファイルとして無料で提供しています。 回路の開発や設計、修理に必要なアプリケーション回路や代替品、ピン配置などを簡単に確認できます。 |