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MT1259P データシート PDF

この部品の機能は「256k X 1 Dram」です。


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部品番号
MT1259P

256K x 1 DRAM


w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w .D w t a S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c


Micron Technology
Micron Technology

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文字列「 MT1259 」「 1259P 」で始まる検索結果です。

部品説明

MT1259C

256K x 1 DRAM

w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w w .D t a S a e h t e U 4 .c m o w w w .D at h S a t e e 4U . m o c

Micron Technology
Micron Technology

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2N1259

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case TYPE NO. DESCRIPTION VCBO (V) VCEO (V) *VCER VEBO (V) ICBO @ (µA) *ICEO **ICES ***ICEV ****ICER MIN 6.0 6.0 5.0 5.0 7.0 7.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 5.0 6.0 5.0 5.0 5.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 5.0 5.0 5.0 7.0 6.0 4.5 6.0 7.0 7.0 6.0 6.0 7.0

ETC
ETC

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2SA1259

PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors

Ordering number:ENN1059D PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors 2SA1259/2SC3145 60V/5A for High-Speed Drivers Applications Features · High fT. · High switching speed. · Wide ASO. Package Dimensions unit:mm 2010C [2SA1259/2SC3145] 10.2 3.6 5.1 4.5 1.3

Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

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2SA1259

Silicon PNP Power Transistors

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·High DC Current Gain- : hFE = 2000(Min)@ IC= -2.5A ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat) = -1.5V(Max)@ IC= -2.5A ·Complement to Type 2SC3145 isc Product Specification 2SA1259 APPLI

Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

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2SB1259

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Driver for Solenoid/ Relay and Motor and General Purpose)

(3 k Ω)(1 0 0 Ω) E Darlington sAbsolute maximum ratings Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SB1259 –120 –120 –6 –10(Pulse–15) –1 30(Tc=25°C) 150 –55 to +150 (Ta=25°C) Unit V V V A A W °C °C 2SB1259 sElectrical Characteristics Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO

Sanken electric
Sanken electric

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2SD1259

Silicon NPN triple diffusion planar type

Power Transistors 2SD1259, 2SD1259A Silicon NPN triple diffusion planar type For power amplification with high forward current transfer ratio 10.0±0.3 8.5±0.2 6.0±0.5 3.4±0.3 Unit: mm 1.0±0.1 s Features q q q High foward current transfer ratio hFE Satisfactory linearity

Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

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