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MJ3055 データシート PDF ( Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
2 MJ3055

Silicon NPN Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor isc Product Specification MJ3055 DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·DC Current Gain-hFE=20-70@IC = 4A ·Collector-Emitter Saturatio

Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
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1 MJ3055

Bipolar NPN Device

www.Datasheet.jp MJ3055 Dimensions in mm (inches). 25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 6.35 (0.25) 9.15 (0.36) Bipolar NPN Device in a Hermetically sea

Seme LAB
Seme LAB
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MJ3 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
MJ3000

Trans Darlington NPN 60V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
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MJ3000

Bipolar NPN Device

MJ3000 Dimensions in mm (inches). 25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 6.35 (0.25) 9.15 (0.36) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. 38.61 (1.52) 39.12 (1.54) 0.97 (0.060) 1.10 (0.043) 29

Semelab PLC
Semelab PLC
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MJ3001

Silicon NPN Power Transistors

SavantIC Semiconductor Silicon NPN Power Transistors Product Specification MJ3000/3001 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Complement to type MJ2500/2501 APPLICATIONS ·For use as output devices in complementary general purpose amplifier applic

SavantIC
SavantIC
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MJ3771

Silicon NPN Power Transistor

www.datasheet.jp INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector-Emitter Saturation VoltageVce(sat)=1V(Max)@Ic=15A ·Low Leakage Icbo=1mA(max)@50V ·High Current-Gain-Bandwidth ProductfT=2MHz(min)@Ic=1A APPLICATI

Inchange Semiconductor
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MJ3000

(MJ3000 / MJ3001) COMPLEMENTARY POWER DARLINGTONS

PNP MJ3000 – MJ3001 COMPLEMENTARY POWER DARLINGTONS The MJ3000, and MJ3001 are silicon epitaxial-base PNP power transistors in monolithic Darlington configuration and are mounted in Jedec TO-3 metal case. They are intented for use in power linear and switching applications. Th

Comset Semiconductors
Comset Semiconductors
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MJ3202

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package

MJ3202 Dimensions in mm (inches). 3.68 (0.145) rad. max. 6.35 (0.250) 8.64 (0.340) 3.61 (0.142) 4.08(0.161) rad. Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package. 11.94 (0.470) 12.70 (0.500) 24.13 (0.95) 24.63 (0.97) 1 14.48 (0.570) 14.99 (0.590) 2 0.71 (0.

Seme LAB
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MJ3055 回路図、ピン配列、同等



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