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MJ3055 データシート PDF 検索 |
| 番号 | 部品番号 | 部品説明 | メーカ | |
| 2 | MJ3055 | Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor isc Product Specification MJ3055 DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·DC Current Gain-hFE=20-70@IC = 4A ·Collector-Emitter Saturatio |
 Inchange Semiconductor |
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| 1 | MJ3055 | Bipolar NPN Device www.Datasheet.jp MJ3055 Dimensions in mm (inches). 25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 6.35 (0.25) 9.15 (0.36) Bipolar NPN Device in a Hermetically sea |
 Seme LAB |
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