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ME60N03 データシート PDF 検索

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3 ME60N03

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

ME60N03 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS=30V RDS(ON), Vgs@10V,Ids@30A = 8.5mΩ RDS(ON), Vgs@4.5V,Ids@20A =13mΩ FEATURES Advanced trench process technology High density cell design for ultra

Matsuki
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2 ME60N03A

25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS=25V RDS(ON), Vgs@10V,Ids@30A = 8.5m RDS(ON), Vgs@4.5V,Ids@30A =13m ME60N03A FEATURES Advanced trench process technology High density cell design for ultra l

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1 ME60N03AS

25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

ME60N03AS 25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS=25V RDS(ON), Vgs@10V,Ids@30A ≦ 9mΩ RDS(ON), Vgs@ 5V,Ids@15A ≦18mΩ APPLICATIONS ● Motherboard (V-Core) ● DC/DC Converter ● Load Switch

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