ME400802 PDF データシート

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ME400802 データシート PDF

番号	部品番号	部品説明	メーカ	PDF
1	ME400802	Diode	American Microsemiconductor

部品番号	部品説明	メーカ	PDF
ME4812-G	N-Channel 30-V(D-S) MOSFET ME4812/ME4812-G N-Channel 30-V(D-S) MOSFET, ESD Protection GENERAL DESCRIPTION The ME4812 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology integrated Schottky diode. This high density process is	Matsuki
ME4948-G	Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION The ME4948 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on state resistance. These de	Matsuki
ME400802	Diode	American Microsemiconductor
ME400403	Diode	American Microsemiconductor
ME400402	Diode	American Microsemiconductor
ME4812B-G	N-Channel 30-V(D-S) MOSFET ME4812B/ME4812B-G N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Integrated Schottky Diode GENERAL DESCRIPTION The ME4812B is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially t	Matsuki

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