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データシート MA7000 PDF ( Circuit Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
2 MA7000

Silicon planar type

Zener Diodes MAZ7000 Series Silicon planar type Unit : mm For stabilization of power supply φ 0.65 max. • Large power dissipation Ptot (800 mW) • Allowing to supply with the radial taping 27

Panasonic
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1 MA7000

Silicon Planar Type

Zener Diodes MAZ7000 Series (MA7000 Series) Silicon planar type Unit: mm For stabilization of power supply s Features φ 0.60±00.5 • Large power dissipation Ptot (800 mW) • Allowing to supply

Panasonic
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MA7 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
MA717

Schottky Barrier Diodes (SBD)

Schottky Barrier Diodes (SBD) MA3X717 (MA717) Silicon epitaxial planar type Unit: mm For switching For wave detection s Features • Low forward voltage VF, optimum for low voltage rectification • Low VF type of MA3X704A (MA704A) • Optimum for high frequency rectification b

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MA729

Schottky Barrier Diode

MA729 Schottky Barrier Diode FEATURES z For super-high speed switching circuit. z For small current rectification. z Allowing to rectify under(IF(AV)=200mA) condition. z Allowing high-density mounting. Pb Lead-free APPLICATIONS z Schottky epitaxial planar. ORDERING INFORMATI

MDD
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MA713

Schottky Barrier Diodes (SBD)

Schottky Barrier Diodes (SBD) MA4X713 (MA713) Silicon epitaxial planar type For switching For wave detection I Features • Two isolated elements are contained in one package, allowing high-density mounting • Two MA3X704A (MA704A) is contained in one package (of a type in the

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MA795WK

Schottky Barrier Diodes (SBD)

Schottky Barrier Diodes (SBD) MA3S795D, MA3S795E (MA795WA, MA795WK) Silicon epitaxial planar type 0.80±0.05 For switching I Features • High-density mounting is possible • Low forward voltage VF , optimum for low voltage rectification: VF < 0.3 V (at IF = 1 mA) • Optimum

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MA792

Schottky Barrier Diodes (SBD)

Schottky Barrier Diodes (SBD) MA3Z792 (MA792) Silicon epitaxial planar type Unit: mm For super high speed switching For small current rectification 3 0.3+0.1 –0 0.15+0.1 –0.05 • High-density mounting is possible • IF(AV) = 100 mA rectification is possible • Optimum

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MA7001

Radiation Hard 512x9 Bit FIFO

MA7001 MA7001 Radiation Hard 512x9 Bit FIFO Replaces June 1999 version, DS3519-4.0 DS3519-5.0 January 2000 The MA7001 512 x 9 FIFO is manufactured using Dynex Semiconductor's CMOS-SOS high performance, radiation hard, 3µm technology. The Dynex Semiconductor Silicon-on-Sapphire

Dynex
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MA7000 回路図、ピン配列、同等



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