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データシート M28W640ECT PDF ( Circuit Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 M28W640ECT

64 Mbit 3V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY s SUPPLY VOLTAGE – VDD = 2.7V to 3.6V Core Power Supply – VDDQ= 1.65V to 3.6V for Input/Output – VPP = 12V for fast Program (optional) s ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns s PROGRAMM

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M28 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
M28W320FCT

32Mbit (2Mb x16 - Boot Block) 3V Supply Flash Memory

M28W320FCT M28W320FCB 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory Features ■ Supply Voltage – VDD = 2.7V to 3.6V Core Power Supply – VDDQ= 1.65V to 3.6V for Input/Output – VPP = 12V for fast Program (optional) Access Time: 70, 80, 90, 100ns

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M28R400CB

4 Mbit 1.8V Supply Flash Memory

M28R400CT M28R400CB 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory FEATURES SUMMARY ■ SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.65V to 2.2V Core Power Supply – VDDQ= 1.65V to 2.2V for Input/Output – VPP = 12V for fast Program (optional) ■ ACCESS TIMES: 90ns, 120ns ■ PROGRAMM

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M28750

Military Solid State Relay

Teledyne Relays
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M28W800CT

8 Mbit 3V Supply Flash Memory

M28W800CT M28W800CB 8 Mbit (512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory FEATURES SUMMARY s SUPPLY VOLTAGE – VDD = 2.7V to 3.6V Core Power Supply – VDDQ= 1.65V to 3.6V for Input/Output – VPP = 12V for fast Program (optional) s ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns s PROGRAMMING T

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M28W320ECT

32 Mbit 3V Supply Flash Memory

M28W320ECT M28W320ECB 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory FEATURES SUMMARY s SUPPLY VOLTAGE – VDD = 2.7V to 3.6V Core Power Supply – VDDQ= 1.65V to 3.6V for Input/Output – VPP = 12V for fast Program (optional) s ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns s PROGRAMMING

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M28C64X

64 Kbit (8Kb x8) Parallel EEPROM

M28C64C M28C64X 64 Kbit (8Kb x8) Parallel EEPROM FAST ACCESS TIME: 150ns SINGLE 5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE LOW POWER CONSUMPTION FAST WRITE CYCLE – 32 Bytes Page Write Operation – Byte or Page Write Cycle: 5ms ENHANCED END OF WRITE DETECTION – Ready/Busy Open Drain Output (f

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M28W640ECT 回路図、ピン配列、同等



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