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M1J43 データシート PDF 検索

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 M1J43

SM1J43

SM1G43,SM1J43 www.Datasheet.jp TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE SM1G43,SM1J43 AC POWER CONTROL APPLICATIONS l Repetitive Peak Off−State Voltage : VDRM = 400, 600V l

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
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M1 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
M1609NC240

Fast Recovery Diode

Date:- 30 Jun, 2015 Data Sheet Issue:- 2 Fast Recovery Diode Type M1609NC200 to M1609NC260 Old Type No.: SM16-26CXC915 Absolute Maximum Ratings VRRM VRSM VOLTAGE RATINGS Repetitive peak reverse voltage, (note 1) Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1) MAXIMUM LIMITS 20

IXYS
IXYS
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M11B416256A-30T

256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE

EliteMT DRAM FEATURES X16 organization EDO (Extended Data-Output) access mode 2 CAS Byte/Word Read/Write operation Single 5V ( ± 10%) power supply TTL-compatible inputs and outputs 512-cycle refresh in 8ms Refresh modes : RAS only, CAS BEFORE RAS (CBR) and HIDDEN JEDEC standard

ETC
ETC
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M1MA174T1D

Silicon Switching Diode

M1MA174T1 Preferred Device Silicon Switching Diode MAXIMUM RATINGS Rating Continuous Reverse Voltage Recurrent Peak Forward Current Peak Forward Surge Current Pulse Width = 10 µs Total Power Dissipation, One Diode Loaded TA = 25°C Derate above 25°C Mounted on a Ceramic Substr

ON Semiconductor
ON Semiconductor
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M13S32321A

256K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM

ESMT DDR SDRAM Features z z z z z z z z z z z z z z z z z z z M13S32321A 256K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM JEDEC Standard Internal pipelined double-data-rate architecture, two data access per clock cycle Bi-directional data strobe (DQS) On-chip

Elite Semiconductor Memory Technology
Elite Semiconductor Memory Technology
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