LTN150U4-L01 データシート PDFこの部品の機能は「Display Module」です。 |
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部品番号 |
LTN150U4-L01 Display Module APPROVAL TO DATE : Jan, 18th. 2005 SAMSUNG SAMSUNGTFT-LCD TFT-LCD MODEL MODEL NO.:LTN150U4-L01 NO.:LTN150U4-L01 www.DataSheet.net/ Any Modification of Spec is not allowed without SEC’ permissio Samsung |
文字列「 LTN150U4L01 」「 150U4 」で始まる検索結果です。 |
部品説明 |
1504 Diode ( Rectifier ) American Microsemiconductor |
150U40 SILICON POWER DIODE 150U/150UR SILICON POWER DIODE DO - 8 FEATURES • Diffused Series • Available in Normal & Reverse Polarity • Industrial Grade • Available In Avalanche Characteristic ELECTRICAL SPECIFICATIONS IF V FM IFSM IFRM I2t Maximum Average Forward Current Te=1250C Maximum peak forwa NAINA SEMICONDUCTOR |
2MBI150U4A-120 IGBT MODULE SPECIFICATION Device Name : IGBT MODULE Type Name : 2MBI150U4A-120 Spec. No. : MS5F 6031 Feb. 09 ’05 Feb. 09 ’05 S.Miyashita T.Miyasaka K.Yamada Y.Seki MS5F6031 1 13 H04-004-07b Revised Records Date Classification Ind. Feb.-09 -’05 Enactment Content Applied Fuji |
2MBI150U4A-120-50 Power Devices (IGBT) 6 IGBT V 6th Gen. IGBT Module V-series A compact design allows for greater power output · High performance 6th gen. IGBT/FWD chipset · Tj(max.)=175°C, Tj(op)=150°C Environmentally friendly modules · Easy assemblage, solder free options · RoHS compliant Turn-on switching ETC |
2MBI150U4B-120 IGBT MODULE SPECIFICATION Device Name : IGBT MODULE Type Name : 2MBI150U4B-120 Spec. No. : MS5F 6059 Mar. 09 ’05 S.Miyashita Mar. 09 ’05 T.Miyasaka K.Yamada Y.Seki MS5F6059 1 13 H04-004-07b Revised Records Date Classification Ind. Mar.-09 -’05 Enactment Content Applied Fuji |
2MBI150U4B-120-50 IGBT MODULE SPECIFICATION Device Name Type Name : IGBT MODULE (RoHS compliant product) : 2MBI150U4B-120-50 Spec. No. : MS5F6568 Apr. 21 ’06 K.Muramatsu Apr. 21 ’06 M.W atanabe T.Miyasaka K.Yamada MS5F6568 1a 14 H04-004-07b Revised Records Date Classification Ind. Apr.-21 -’0 Fuji |
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