LMS350GF02-001 データシート PDFこの部品の機能は「Lcd Module」です。 |
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部品番号 |
LMS350GF02-001 LCD Module www.Datasheet.jp Samsung |
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部品説明 |
MC35002 General Pupose Dual JFET Operational Amplifiers ST Microelectronics |
MRFG35002N6AT1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor Freescale Semiconductor Technical Data Document Number: MRFG35002N6A Rev. 1, 12/2008 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications. Characterized from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is Freescale Semiconductor |
MRFG35002N6T1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor Freescale Semiconductor Technical Data Document Number: MRFG35002N6 Rev. 1, 5/2006 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications. Characterized from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is Freescale Semiconductor |
PTVA035002EV Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET PTVA035002EV Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 500 W, 50 V, 390 – 450 MHz Description The PTVA035002EV LDMOS FET is designed for use in power amplifier applications in the 390 MHz to 450 MHz frequency band. Features include high gain and thermally-enhanced package wi Infineon |
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