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データシート K8A60DA PDF ( Circuit Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 K8A60DA

TK8A60DA

TK8A60DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) TK8A60DA Switching Regulator Applications • • • • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.8 Ω (typ.) Hig

Toshiba Semiconductor
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K8A データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
K8A1315ETC

512Mb C-die NOR FLASH

Rev. 1.1, Sep. 2010 K8A12(13)15ET(B/Z)C 512Mb C-die NOR FLASH (32Mb x16) Synch Burst, Multi Bank SLC (1.7V ~ 1.95V) datasheet SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE. Products and specifications discussed herein a

Samsung semiconductor
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K8A1215EZC

512Mb C-die NOR FLASH

Rev. 1.1, Sep. 2010 K8A12(13)15ET(B/Z)C 512Mb C-die NOR FLASH (32Mb x16) Synch Burst, Multi Bank SLC (1.7V ~ 1.95V) datasheet SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE. Products and specifications discussed herein a

Samsung semiconductor
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K8A1215EBC

512Mb C-die NOR FLASH

Rev. 1.1, Sep. 2010 K8A12(13)15ET(B/Z)C 512Mb C-die NOR FLASH (32Mb x16) Synch Burst, Multi Bank SLC (1.7V ~ 1.95V) datasheet SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE. Products and specifications discussed herein a

Samsung semiconductor
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K8A57EBC

256Mb C-die NOR FLASH

Rev. 1.0, Nov. 2010 K8A56(57)ET(B)(Z)C 256Mb C-die NOR FLASH 16M x16, Synch Burst Multi Bank SLC NOR Flash datasheet SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE. Products and specifications discussed herein are for re

Samsung semiconductor
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K8A56ETC

256Mb C-die NOR FLASH

Rev. 1.0, Nov. 2010 K8A56(57)ET(B)(Z)C 256Mb C-die NOR FLASH 16M x16, Synch Burst Multi Bank SLC NOR Flash datasheet SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE. Products and specifications discussed herein are for re

Samsung semiconductor
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K8A5615ETA

Flash Memory

K8A5615ET(B)A FLASH MEMORY Document Title 256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash Memory Revision History Revision No. History 0.0 0.1 Advanced Revision - Change the speed code 7B : 90ns @54MHz ---> 7B : 88.5ns @54MHz Revision - Change t

Samsung Electronics
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K8A60DA 回路図、ピン配列、同等



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