K7B801825B-QC75 データシート PDFこの部品の機能は「256kx36 & 512kx18-bit Synchronous Pipelined Burst Sram」です。 |
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部品番号 |
K7B801825B-QC75 256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM K7A803609B K7A801809B Document Title 256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM 256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 0.2 0.3 1.0 History Initial draft 1. Samsung semiconductor |
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部品説明 |
K7B801825B 256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM K7B403625M Document Title 128Kx36-Bit Synchronous Burst SRAM 128Kx36 Synchronous SRAM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 History Initial draft Modify power down cycle timing & Interleaved read timing, Insert Note 4 at AC timing characteristics. Change ISB1 value from 10mA to 30m Samsung semiconductor |
K7B801825B-QC65 256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM K7B803625B K7B801825B Document Title 256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM 256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 0.2 1.0 History Initial draft Add x32 org part and industrial temperature part 1. change scan order(1) form 4T to 6T at 119BGA Samsung semiconductor |
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