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K7A60W データシート PDF 検索

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 K7A60W

TK7A60W

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK7A60W 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.5 Ω (typ.) by used to Super Junction Str

Toshiba
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K7A データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
K7A163630B

512Kx36 & 1Mx18 Synchronous SRAM

K7A163630B K7A161830B 512Kx36 & 1Mx18 Synchronous SRAM 18Mb B-die Sync. SRAM Specification 100TQFP with Pb & Pb-Free (RoHS compliant) INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS, AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING

SAMSUNG ELECTRONICS
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K7A403200B

128Kx36/x32 & 256Kx18 Synchronous SRAM

K7A403600B K7A403200B K7A401800B Document Title 128Kx36/x32 & 256Kx18 Synchronous SRAM 128Kx36 & 128Kx32 & 256Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM Revision History Rev. No 0.0 0.1 History 1. Initial draft 1. Changed DC parameters Icc ; from 350mA to 290mA at -16, from 330

Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
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K7A401809B

128Kx36/x32 & 256Kx18 Synchronous SRAM

K7A403609A K7A401809A Document Title 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous SRAM 128Kx36 & 256Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM Revision History Rev. No 0.0 0.1 0.2 History Initial draft Add tCYC 300MHz. 1. Changed DC condition at Icc and I SB. Icc ; from 540mA to 590mA at -30,

Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
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K7A803609B-QC25

256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM

K7A803609B K7A801809B Document Title 256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM 256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 0.2 0.3 1.0 History Initial draft 1. Delete pass- through 1. Add x32 org part and industrial temperature part 1. cha

Samsung semiconductor
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