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TK6A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) TK6A60D Switching Regulator Applications • • • • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.) High f

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K6A データシート - 検索結果

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K6A65D

TK6A65D

TK6A65D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) TK6A65D Switching Regulator Applications • • • • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.95 Ω (typ.) High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ =4.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS =

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TK6A60D

TK6A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) TK6A60D Switching Regulator Applications • • • • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 3.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10

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