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K5A50D データシート PDF 検索

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 K5A50D

TK5A50D

TK5A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) TK5A50D Switching Regulator Applications • • • • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.3 Ω (typ.) High f

Toshiba Semiconductor
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K5A データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
K5A3280YBC-T755

MCP MEMORY

K5A3x80YT(B)C Document Title Multi-Chip Package MEMORY Preliminary MCP MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 8M(1Mx8/512Kx16) Full CMOS SRAM Revision History Revision No. History 0.0 Initial Draft Draft Date November 6, 2002 Remark Preliminary The attache

Samsung semiconductor
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K5A3240YTC-T755

Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM

K5A3x40YT(B)C Document Title Multi-Chip Package MEMORY Preliminary MCP MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM Revision History Revision No. History 0.0 Initial Draft Draft Date November 6, 2002 Remark Preliminary The attac

Samsung semiconductor
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K5A3X40YTC

Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM

K5A3x40YT(B)C Document Title Multi-Chip Package MEMORY Preliminary MCP MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM Revision History Revision No. History 0.0 Initial Draft Draft Date November 6, 2002 Remark Preliminary The attac

Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
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K5A3240YBC-T855

Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM

K5A3x40YT(B)C Document Title Multi-Chip Package MEMORY Preliminary MCP MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM Revision History Revision No. History 0.0 Initial Draft Draft Date November 6, 2002 Remark Preliminary The attac

Samsung semiconductor
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