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K4110 データシート PDF 検索

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 K4110

2SK4110

2SK4110 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI) 2SK4110 Switching Regulator Applications • • • • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.9 Ω (typ.) High f

Toshiba
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K4 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
K4S640832H-TL75

64Mb H-die SDRAM Specification

SDRAM 64Mb H-die (x4, x8, x16) CMOS SDRAM 64Mb H-die SDRAM Specification Revision 1.4 November 2003 * Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice. Rev. 1.4 November 2003 SDRAM 64Mb H-die (x4, x8, x16) Revision History Revision 0

Samsung semiconductor
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K4H1G3238C-TLA0

128Mb DDR SDRAM

128Mb DDR SDRAM DDR SDRAM Specification Version 1.0 - 1 - REV. 1.0 November. 2. 2000 128Mb DDR SDRAM Revision History Version 0 (May, 1998) - First version for internal review Version 0.1(June, 1998) - Added x4 organization Version 0.2(Sep,1998) 1. Added "Issue prcharge comma

Samsung
Samsung
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K4S281632D-NC1H

128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL

K4S281632D CMOS SDRAM 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL Rev. 0.1 Sept. 2001 * Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice. Rev. 0.1 Sept. 2001 K4S281632D Revision History Revision 0.0 (Mar. 06, 2001) Revi

Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
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K4H280838B-TCA0

128Mb DDR SDRAM

128Mb DDR SDRAM DDR SDRAM Specification Version 1.0 - 1 - REV. 1.0 November. 2. 2000 128Mb DDR SDRAM Revision History Version 0 (May, 1998) - First version for internal review Version 0.1(June, 1998) - Added x4 organization Version 0.2(Sep,1998) 1. Added "Issue prcharge comma

Samsung
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