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K3115B データシート PDF 検索

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 K3115B

N-CHANNEL POWER MOS FET

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3115B SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3115B is N-Channel MOS FET device that features a low gate charge and excellent switching characte

Renesas
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K31 データシート - 検索結果

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K3128

2SK3128

2SK3128 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI) 2SK3128 Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm z Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 9.5 mΩ (typ.) z High forward transfer admittance : |Yfs| = 40 S (

Toshiba Semiconductor
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K3100G

3.3V Crystal Clock Oscillators

K3100G Series 3.3V Crystal Clock Oscillators Œ TTL/CMOS Compatible Tight Symmetry (45/55%) Available Œ Tri-State Option Available Œ ±100ppm Stability Standard - K3100GC Tighter Stabilities Available ±25ppm Stability:- K3100GA ±50ppm Stability:- K3100GB

Champion
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K319

2SK319

Hitachi Semiconductor
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K3141

Silicon N-Channel MOS FET

2SK3141 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 4 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline RENESAS Package code: PRSS0004AC-A (Package name: TO-220AB) 123 G REJ03G1070

Renesas
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