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K2876-01MR データシート PDF ( Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 K2876-01MR

2SK2876-01MR

2SK2876-01MR FAP-IIS Series > Features High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Repetitive Avalanche Rated N-channel MOS-FET

Fuji Electric
Fuji Electric
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K28 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
K283QVU-V1-F

Standard LCD Module

东莞奇创力显示器有限公司 Kitronix (Dong guan) Ltd. FOR APPROVAL 样 品 承 认 书 WE ARE PLEASED IN SENDDING YOU HEREWITH OUR SPECIFICATION AND DRAWING FOR YOUR APPROVAL. PLEASE RETURN TO US ONE COPY OF “FOR APPOVAL” WITH YOUR APPROVED SIGN

Kitronix
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K2889

2SK2889

2SK2889 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV) 2SK2889 Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications z Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.54 Ω (typ.) z High forward transfer admittance : |Yfs| = 9.0 S (typ.)

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
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K2836

2SK2836

2SK2836 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV) 2SK2836 Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm l Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 6.4 Ω (typ.) l High forward transfer admittance : |Yfs| = 0.85 S

Toshiba
Toshiba
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K2828

2SK2828

2SK2828 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC–DC converter • Avalanche ratings Outline TO–3P ADE-208-514 C (

Hitachi
Hitachi
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K2834-01

2SK2834-01

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Fuji Electric
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K2826

2SK2826

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK2826 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super Low On-State Resistance RDS(on)1 = 6.5 mΩ (MAX

NEC
NEC
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K2876-01MR 回路図、ピン配列、同等



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