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TK10A60W

Preliminary TK10A60W TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS ) TK10A60W Switching Regulator Applications • Low drain-source on-resistance : RDS (ON) = 0.327 by used to

Toshiba Semiconductor
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K10A データシート - 検索結果

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K10A60W

TK10A60W

Preliminary TK10A60W TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS ) TK10A60W Switching Regulator Applications • Low drain-source on-resistance : RDS (ON) = 0.327 by used to Super Junction Structure : DTMOS (typ.) • Easy to control Gate switching

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K10A50D

TK10A50D

TK10A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) TK10A50D Switching Regulator Applications • • • • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.62 Ω (typ.) High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 5.0 S (typ.) Low leakage current: ID

Toshiba
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K10A60D

TK10A60D

TK10A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) TK10A60D Switching Regulator Applications Unit: mm • • • • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.62 Ω (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (

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