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J13009 データシート PDFこの部品の機能は「 Fjp13009」です。部品名 J13009.PDF で生成された要約情報を活用して、さまざまなメーカーのデータシートを比較してダウンロードできます。 当社の検索ツールは、検索結果の範囲をすばやく絞り込み、必要なものを正確に見つけることができるフィルタと並べ替えオプションを備えた直感的で使いやすく設計されています。 |
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部品番号 |
J13009 FJP13009 www.Datasheet.jp FJP13009 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor March 2007 FJP13009 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor • High Voltage Capability • High Switching Spe ![]() Fairchild Semiconductor ![]() |
文字列「 J13009 」「 13009 」で始まる検索結果です。 |
部品説明 |
13009L KSE13009L KSE13009L KSE13009L High Voltage Switch Mode Applications • High Speed Switching • Suitable for Switching Regulator and Motor Control 1 TO-3P 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted Symbol VCBO V CEO VE ![]() Fairchild Semiconductor ![]() |
3DD13009 NPN Transistor 3DD13009(NPN) TO-220 Transistor 1. BASE TO-220 2. COLLECTOR Features 3 2 1 power switching applications 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter ![]() LGE ![]() |
3DD13009 Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor 1 3DD13009 NPN 3DD13009 2 2.1 2.2 TO-220F Tamb= 25 - Ta=25 Tc=25 VCE0 VCB0 VEB0 IC Ptot Tj Tstg 400 700 9 12 2 100 150 -55 150 V V V A W Tamb= 25 10.4max 3.2 2.7max 4.8max 2.7 15.5max 1.2 0.6 2.54 2.54 BCE 12.7min 2.3 0.6 - ICB0 VCB=700V, IE=0 - IEB0 VEB=9V, IC=0 ![]() ETC ![]() |
3DD13009 NPN Transistor Dayan Technology Industry Co., Ltd. Shenzhen 1. NPN 3DD13009 2. TO-220 3. 4. Ta=25 VCBO VCEO VEBO IC T a=25 PC T c=25 Tj Tstg 5 Ta=25 700 400 9 12 3.0 100 150 -55~150 V V V A W W B VCBO B VCEO B VEBO ICBO ICEO IEBO VCE sat VBEsat hFE tf ts fT Mi Ma nx IC= 1mA I ![]() Dayan Technology ![]() |
3DD13009-A9 Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor 产品概述 3DD13009 A9 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD13009 A9 ○R 产品特点 ![]() ETC ![]() |
3DD13009A8 Silicon NPN Transistor 产品概述 3DD13009 A8 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD13009 A8 ○R 产品特点 ![]() Huajing Microelectronics ![]() |
特徴
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