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IXYP20N65C3D1M データシート PDF

この部品の機能は「Igbt ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。


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部品番号
IXYP20N65C3D1M

IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )


Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT GenX3TM w/Diode IXYP20N65C3D1M Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching VCES = 650V IC110 = 9A VCE(sat)  2.5V tfi(typ)


IXYS
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文字列「 IXYP20N65C3D1 」「 20N65C3D1M 」で始まる検索結果です。

部品説明

IXYP20N65C3D1

IGBT

XPTTM 650V IGBT GenX3TM w/Diode IXYA20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC110 IF110 ICM IA EAS SSOA (RBSOA) tsc (SCSOA) PC TJ TJM Tstg TL TSOLD Md FC Weight Test Conditions Maximum Ratings TJ = 25°

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