IXYP10N65C3D1M データシート PDFこの部品の機能は「Igbt ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。 |
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部品番号 |
IXYP10N65C3D1M IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT GenX3TM w/Diode (Electrically Isolated Tab) IXYP10N65C3D1M VCES = 650V IC110 = 7A VCE(sat) 2.6V tfi(typ) = 23ns Extreme Light Punch T IXYS |
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部品説明 |
IXYP10N65C3D1 IGBT Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT GenX3TM w/Diode IXYP10N65C3D1 Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching VCES = 650V IC110 = 10A VCE(sat) 2.50V tfi(typ) = 23ns TO-220 Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC110 IIFC1M10 IA EAS SSOA (RBS IXYS |
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