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Datasheet IXTA1R4N100P Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IXTA1R4N100P | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated PolarTM Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTY1R4N100P IXTA1R4N100P IXTP1R4N100P
VDSS ID25
RDS(on)
= 1000V = 1.4A ≤ 11.8Ω
TO-252 (IXTY)
G
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IA EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD FC Md Weight
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = |
IXYS |
IXTA1R4N1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IXTA1R4N100P | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
IXYS |
Esta página es del resultado de búsqueda del IXTA1R4N100P. Si pulsa el resultado de búsqueda de IXTA1R4N100P se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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