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IXGH6N170A データシート PDF

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部品番号
IXGH6N170A

High Voltage IGBT


www.Datasheet.jp Advance Technical Data High Voltage IGBT IXGH 6N170A IXGT 6N170A VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ) = 1700 V = 6 A = 7.0 V = 32 ns Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA (RBS


IXYS Corporation
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文字列「 IXGH6N170 」「 6N170A 」で始まる検索結果です。

部品説明

IXGH6N170

High Voltage IGBT

High Voltage IGBT IXGT6N170 IXGH6N170 VCES = IC90 = VCE(sat) tfi(typ)  = 1700V 6A 4.0V 290ns Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA (RBSOA) PC TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Weight Test Conditions TC = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1M Continuous

IXYS
IXYS

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1N6170

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

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1N6170

1500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

1500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 1N6138 thru 1N6173 January 16, 1998 TEL:805-498-2111 FAX:805-498-3804 WEB:http://www.semtech.com © 1997 SEMTECH CORP. 652 MITCHELL ROAD NEWBURY PARK CA 91320 1500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 1N6138 thru 1N6173

Semtech Corporation
Semtech Corporation

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1N6170

Diode TVS Single Bi-Dir 114V 1.5KW 2-Pin

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

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1N6170

Diode TVS Single Bi-Dir 114V 1.5KW 2-Pin

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

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1N6170

Diode TVS Single Bi-Dir 114V 1.5KW 2-Pin

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

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