Datasheet IXFN80N50Q2 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	IXFN80N50Q2	HiPerFET Power MOSFET Advance Technical Information HiPerFETTM Power MOSFET IXFN 80N50Q2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr VDSS = 500 V ID25 = 80 A RDS(on)= 60 mΩ ≤ 250 ns trr miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 Symbol VDSS VDGR VGS VGSM	IXYS

IXFN80N5 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
IXFN80N50Q2	HiPerFET Power MOSFET Advance Technical Information HiPerFETTM Power MOSFET IXFN 80N50Q2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr VDSS = 500 V ID25 = 80 A RDS(on)= 60 mΩ ≤ 250 ns trr miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 Symbol	IXYS
IXFN80N50Q3	Power MOSFET ( Transistor ) Advance Technical Information HiperFETTM Power MOSFET Q3-Class N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier IXFN80N50Q3 VDSS ID25 RDS(on) trr = = ≤ ≤ 500V 63A 65mΩ 250ns miniBLOC E153432 Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IA EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg VISOL Md W	IXYS Corporation
IXFN80N50	(IXFN80N50 / IXFN75N50) HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr VDSS IXFN 80N50 IXFN 75N50 D G S ID25 80 A 75 A RDS(on) 50 mΩ 55 mΩ 500 V 500 V S Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg VISOL Md Weig	IXYS Corporation

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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