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Datasheet IXFN38N100Q2 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IXFN38N100Q2 | Power MOSFET ( Transistor ) HiPerFETTM Power MOSFET
IXFN38N100Q2
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr Preliminary Data Sheet
VDSS = 1000 V ID25 = 38 A RDS(on)= 0.25 Ω trr ≤ 300 ns
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt |
IXYS Corporation |
IXFN38N10 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IXFN38N100Q2 | Power MOSFET ( Transistor ) |
IXYS Corporation |
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IXFN38N100P | Polar Power MOSFET HiPerFET |
IXYS Corporation |
Esta página es del resultado de búsqueda del IXFN38N100Q2. Si pulsa el resultado de búsqueda de IXFN38N100Q2 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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