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IXFN26N120P データシート PDF

この部品の機能は「Polar Power Mosfet」です。


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部品番号
IXFN26N120P

Polar Power MOSFET


PolarTM Power MOSFET HiPerFETTM N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IA EAS dV/dt PD TJ TJM Tstg TL VISOL Md 1.6mm (0.062 in.) from case


IXYS Corporation
IXYS Corporation

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文字列「 IXFN26N120 」「 26N120P 」で始まる検索結果です。

部品説明

26120

Bobbin Wound Surface Mount Inductors

2600 SERIES Bobbin Wound Surface Mount Inductors FEATURES s Bobbin Format s Up to 4.6A IDC s 3.3µH to 680µH s Optional Integral EMI Shield s Low DC Resistance s Surface Mounting s Compact Size s Tape and Reel Packaging DESCRIPTION The 2600 series is a range of bobbin wound sur

C&DTechnologies
C&DTechnologies

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MRF8S26120HR3

RF Power Field Effect Transistor

Freescale Semiconductor Technical Data Document Number: MRF8S26120H Rev. 0, 6/2010 RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed for W--CDMA and LTE base station applications with frequencies from 2620 to 2690 MHz.

Motorola Semiconductors
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MRF8S26120HR3

RF Power Field Effect Transistor

Freescale Semiconductor Technical Data Document Number: MRF8S26120H Rev. 0, 6/2010 RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed for W--CDMA and LTE base station applications with frequencies from 2620 to 2690 MHz.

Motorola Semiconductors
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MRF8S26120HSR3

RF Power Field Effect Transistor

Freescale Semiconductor Technical Data Document Number: MRF8S26120H Rev. 0, 6/2010 RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed for W--CDMA and LTE base station applications with frequencies from 2620 to 2690 MHz.

Motorola Semiconductors
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MRF8S26120HSR3

RF Power Field Effect Transistor

Freescale Semiconductor Technical Data Document Number: MRF8S26120H Rev. 0, 6/2010 RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed for W--CDMA and LTE base station applications with frequencies from 2620 to 2690 MHz.

Motorola Semiconductors
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