Datasheet IXFH15N100Q3 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	IXFH15N100Q3	Power MOSFET ( Transistor ) www.DataSheet.co.kr Advance Technical Information HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier IXFT15N100Q3 IXFH15N100Q3 VDSS ID25 RDS(on) trr = 1000V = 15A ≤ 1.05Ω ≤ 250ns TO-268 (IXFT) G S D (Tab) V V V V A A A J V/ns W °C °C	IXYS Corporation

IXFH15N10 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
IXFH15N100	HiPerFET Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs VDSS ID25 RDS(on) N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Preliminary data sheet IXFH/IXFT/IXFX14N100 1000 V 14 A 0.75 W IXFH/IXFT/IXFX15N100 1000 V 15 A 0.70 W trr £ 200 ns Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25	IXYS
IXFH15N100Q3	Power MOSFET ( Transistor ) Datasheet.es Advance Technical Information HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier IXFT15N100Q3 IXFH15N100Q3 VDSS ID25 RDS(on) trr = 1000V = 15A ≤ 1.05Ω ≤ 250ns TO-268 (IXFT) G S D (Tab) V V V V A A	IXYS Corporation
IXFH15N100Q	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Preliminary data sheet Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL Md Weight 1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s Mounting torque Test C	IXYS Corporation

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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