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Datasheet IXBT6N170 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | IXBT6N170 | BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH6N170 IXBT6N170
VCES = IC90 = VCE(sat) ≤
1700V 6A 3.4V
Symbol
VCES VCGR
VGES VGEM
IC25 IC90 ICM
SSOA (RBSOA)
PC
TJ TJM Tstg
TTLSOLD Md
Weight
Test Conditions TC = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ Continuo |
 IXYS |
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IXBT6N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| IXBT6N170 | BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor |
IXYS |
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| Esta página es del resultado de búsqueda del IXBT6N170. Si pulsa el resultado de búsqueda de IXBT6N170 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
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[1]
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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