|
|
Datasheet IXBT16N170A Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IXBT16N170A | High Voltage/ High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor Advanced Technical Information
High Voltage, High Gain
BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
TM
IXBH 16N170A IXBT 16N170A
VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ)
= 1700 V = 16 A = 6.0 V = 50 ns
Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA (RBSOA) tSC (SCSOA) PC TJ TJM Tstg
Test Conditions TJ = 25°C |
IXYS Corporation |
IXBT16N1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IXBT16N170A | High Voltage/ High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor |
IXYS Corporation |
|
IXBT16N170 | BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor |
IXYS |
Esta página es del resultado de búsqueda del IXBT16N170A. Si pulsa el resultado de búsqueda de IXBT16N170A se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |