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Datasheet IXBH9N160G Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IXBH9N160G | High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor High Voltage BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
N-Channel, Enhancement Mode MOSFET compatible
IXBH 9N140G IXBH 9N160G
VCES IC25 VCE(sat) tfi
TO-247 AD
= = = =
1400/1600 V 9A 4.9 V typ. 70 ns
C G
G C E E G = Gate, E = Emitter, C = Collector, TAB = Collector
C (TAB)
Preliminary Data
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IXYS Corporation |
IXBH9N1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IXBH9N160G | High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor |
IXYS Corporation |
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IXBH9N140G | High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor |
IXYS Corporation |
Esta página es del resultado de búsqueda del IXBH9N160G. Si pulsa el resultado de búsqueda de IXBH9N160G se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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