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Datasheet IXBH10N170 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IXBH10N170 | High Voltage/ High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
High Voltage, High Gain
BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
TM
IXBH 10N170 IXBT 10N170
VCES = 1700 V IC25 = 20 A VCE(sat) = 3.8 V
Preliminary Data Sheet
Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA (RBSOA) PC TJ TJM Tstg
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25 |
IXYS Corporation |
IXBH10N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IXBH10N170 | High Voltage/ High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor |
IXYS Corporation |
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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