IRS2101 データシート PDFこの部品の機能は「データシート」です。 |
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部品番号 |
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部品説明 |
IRS2101PBF HIGH AND LOW SIDE DRIVER Data Sheet No. PD60250 IRS2101(S)PbF • Floating channel designed for bootstrap operation • Fully operational to +600 V • Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune • Gate drive supply range from 10 V to 20 V • Undervoltage lockout • 3.3 International Rectifier |
IRS2101SPBF HIGH AND LOW SIDE DRIVER Data Sheet No. PD60250 IRS2101(S)PbF • Floating channel designed for bootstrap operation • Fully operational to +600 V • Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune • Gate drive supply range from 10 V to 20 V • Undervoltage lockout • 3.3 International Rectifier |
2N2101 Trans GP BJT NPN 65V 1A 3-Pin TO-39 Box New Jersey Semiconductor |
2SA2101 Silicon PNP Epitaxial Transistor Power Transistors 2SA2101 Silicon PNP epitaxial planar type Unit: mm ■ Features • High-speed switching (tstg: storage time/tf: fall time is short) • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Superior forward current transfer ratio hFE line Panasonic Semiconductor |
2SC2101 Silicon NPN POWER TRANSISTOR HG HG RF POWER TRANSISTOR Semiconductors ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR 2SC2101 Note : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change www.HGSemi.com Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Sep. 1998 HGSemi |
2SD2101 Silicon NPN Triple Diffused 2SD2101 Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency power amplifier Outline TO-220FM 2 1 1. Base 2. Collector 3. Emitter 12 3 3 kΩ (Typ) 150 Ω (Typ) 3 2SD2101 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage E Hitachi Semiconductor |
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