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IRLR3110ZPBF データシート PDF

この部品の機能は「Power Mosfet ( Transistor )」です。


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部品番号
IRLR3110ZPBF

Power MOSFET ( Transistor )


Features l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Description Specifically designed for Indust


International Rectifier
International Rectifier

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文字列「 IRLR3110 」「 3110ZPBF 」で始まる検索結果です。

部品説明

1N3110

Diode (spec sheet)

American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

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1N3110

GOLD BONDED GERMANIUM DIODES

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

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2N3110

NPN SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES

Micro Electronics
Micro Electronics

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2N3110

(2N3107 - 2N3110) NPN Silicon AF Medium Amplifiers and Switches

Micro Electronics
Micro Electronics

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2N3110

Bipolar NPN Device

2N3110 Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar NPN Device. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 12.70 (0.500) min. 0.89 max. (0.035) 0.41 (0.016) 0.53 (0.0

Seme LAB
Seme LAB

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2N3110

(2N3108 / 2N3110) General Purpose Amplifier And Switches

NPN 2N3108 – 2N3110 GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES C The 2N3108 and 2N3110 are NPN transistors mounted in TO-39 metal package. They are intended for large signal, low noise industrial applications. Compliance to RoHS. B E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Value 2N3108 60 ww

Comset Semiconductor
Comset Semiconductor

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